制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=230 A, 3针, TO-220, AUIRFS系列

RS 库存编号:: 249-6865
制造商零件编号:: AUIRF1404Z
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=230 A, 3针, TO-220, AUIRFS系列

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RS 库存编号:: 249-6865
制造商零件编号:: AUIRF1404Z
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	230A
	最大漏源电压 Vd	75V
	包装类型	TO-220
	系列	AUIRFS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	高度	4.83mm
	宽度	10.67mm
	长度	16.51mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 230A
	最大漏源电压 Vd 75V
	包装类型 TO-220
	系列 AUIRFS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	高度 4.83mm
	宽度 10.67mm
	长度 16.51mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - AUIRF1404Z

英飞凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技术，实现了极低的每硅面积导通电阻。本设计的其他特点包括 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 结温、快速开关和更高的重复雪崩额定值。

高级加工技术,

超低导通电阻,

工作温度 175 ℃

快速开关

允许重复雪崩达 Tjmax

无铅，符合 RoHS

符合汽车标准

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