Infineon N沟道MOS管, Vds=55 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 249-6867
- 制造商零件编号:
- AUIRF3205
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB16.609 | RMB830.45 |
| 100 - 100 | RMB16.277 | RMB813.85 |
| 150 + | RMB15.951 | RMB797.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6867
- 制造商零件编号:
- AUIRF3205
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
英飞凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技术,实现了低每硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速切换和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员在汽车和各种其他应用中带来了一款超高效和可靠的器件。
高级加工技术
低导通电阻
动态 dv/dt 额定值
工作温度 175 °C
快速开关
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动态 dv/dt 额定值
工作温度 175 °C
快速开关
