制造商编号

Infineon , 2 N型沟道双 N 沟道逻辑电平增强模式 N型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, OptiMOSTM-T2系列

RS 库存编号:: 249-6919
制造商零件编号:: IPG20N06S4L26ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon , 2 N型沟道双 N 沟道逻辑电平增强模式 N型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, OptiMOSTM-T2系列

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RS 库存编号:: 249-6919
制造商零件编号:: IPG20N06S4L26ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	20A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	OptiMOSTM-T2
	引脚数目	8
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	15nC
	最大功耗 Pd	33W
	最低工作温度	-55°C
	晶体管配置	双 N 沟道逻辑电平增强模式
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 20A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 OptiMOSTM-T2
	引脚数目 8
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC
	最大功耗 Pd 33W
	最低工作温度 -55°C
	晶体管配置双 N 沟道逻辑电平增强模式
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃

Infineon , 2 N型沟道 双 N 沟道逻辑电平增强模式 N型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, OptiMOSTM-T2系列

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