制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=400 A, 8针, AG-EASY3B

RS 库存编号:: 250-0222
制造商零件编号:: FF2MR12W3M1HB11BPSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=400 A, 8针, AG-EASY3B

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* 参考价格

RS 库存编号:: 250-0222
制造商零件编号:: FF2MR12W3M1HB11BPSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	400A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	AG-EASY3B
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.44mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅源电压 Vgs	-10V
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC 60747, 60749 and 60068
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 400A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 AG-EASY3B
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.44mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅源电压 Vgs -10V
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC 60747, 60749 and 60068
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - FF2MR12W3M1HB11BPSA1

Infineon Half bridge CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ 半桥模块，采用具有增强型第 1 代沟槽技术的 CoolSiC™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 触点技术。

低切换损耗

高电流密度

低电感设计

PressFIT 触点技术

集成 NTC 温度传感器

利用集成式安装夹可实现牢固安装

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