Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 0.28 A, SOT-323, 表面安装, 3引脚, BSS138WH6327XTSA1, BSS系列

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RS 库存编号:
250-0542
制造商零件编号:
BSS138WH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.28A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOT-323

系列

BSS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌可实现 SIPMOS 小信号晶体管、N 沟道型、增强模式。该器件具有 dv /dt 等级和无铅镀层。它具有60 V的 Vds,Rds(接通)最大值是3.5 Ω,ID为0.28 A。它无卤、P 沟道型增强模式晶体管,广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。

100% 无铅

最大功耗为 360mW