制造商编号

Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=30 V, Id=126 A, 8针, powerpak so - 8DC

RS 库存编号:: 252-0251
制造商零件编号:: SIDR5102EP-T1-RE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=30 V, Id=126 A, 8针, powerpak so - 8DC

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50 - 98	RMB27.585	RMB55.17
100 - 248	RMB26.215	RMB52.43
250 - 998	RMB24.905	RMB49.81
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* 参考价格

RS 库存编号:: 252-0251
制造商零件编号:: SIDR5102EP-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	126A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	powerpak so - 8DC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.01mΩ
	通道模式	耗尽
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	46.1nC
	最大功耗 Pd	150W
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	长度	6.15mm
	宽度	5.15mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 126A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 powerpak so - 8DC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.01mΩ
	通道模式耗尽
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46.1nC
	最大功耗 Pd 150W
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	长度 6.15mm
	宽度 5.15mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIDR5102EP-T1-RE3

Vishay Siliconix MOSFET 产品系列包括多种先进技术。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。场效应意味着它们由电压控制。N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的额外电子。它们是更常见的沟道类型。N 沟道 MOSFET 将在向栅极端子施加正电荷时工作。

TrenchFET Gen V 功率 MOSFET

非常低的 RDS - Qg 品质因数 (FOM)

进行过调节，以实现最低 RDS - Qoss FOM

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

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