Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 200 A, TO-263, 表面安装
- RS 库存编号:
- 252-8486
- 制造商零件编号:
- CSD19532KTT
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-8486
- 制造商零件编号:
- CSD19532KTT
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 200A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||