Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=272 A, 3针, TO-263, NexFET系列

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900-9857
制造商零件编号:
CSD19536KTTT
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

272A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

NexFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

118nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

375W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

175°C

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments


MOSFET 晶体管，Texas Instruments


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