Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 19 A, TO-252, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 256-7280
- 制造商零件编号:
- IRF9Z34SPBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB9.621 | RMB481.05 |
| 100 - 450 | RMB9.14 | RMB457.00 |
| 500 - 950 | RMB8.683 | RMB434.15 |
| 1000 - 4950 | RMB8.249 | RMB412.45 |
| 5000 + | RMB7.837 | RMB391.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7280
- 制造商零件编号:
- IRF9Z34SPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 88W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 88W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.83mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor 第三代功率 MOSFET 利用先进的处理技术,以实现每个硅面积的极低接通电阻。这种优势与电源 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固的设备设计结合在一起,为设计人员提供极高效、可靠的设备,适用于各种应用。D2PAK 是表面安装电源封装,可容纳高达 HEX-4 的模具尺寸。
先进的过程技术
表面安装
175 °C 工作温度
快速切换
P 通道
完全防风雨等级