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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB8.382 | RMB419.10 |
| 100 - 450 | RMB7.963 | RMB398.15 |
| 500 - 950 | RMB7.565 | RMB378.25 |
| 1000 + | RMB7.187 | RMB359.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7326
- 制造商零件编号:
- IRL640PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.028Ω | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±10 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 66nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.65mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.028Ω | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs ±10 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.65mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor 第三代功率 Mosfet 为设计人员提供快速切换、坚固的设备设计、低接通电阻和经济性的最佳组合。TO-220AB 封装普遍适用于大约 50 W 的功耗水平的所有商业工业应用。TO-220AB 的低热阻和低封装成本有助于在整个行业中广泛接受。
动态 dV/dt 额定值
重复雪崩等级
逻辑级门驱动器
快速切换
易于并行
简单的驱动要求