Vishay N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, JEDEC TO-220AB, IRL620PBF

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180-8360
制造商零件编号:
IRL620PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

5.2A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

JEDEC TO-220AB

最大漏源电阻 Rd

0.8Ω

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±10 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16nC

最大功耗 Pd

50W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

高度

6.48mm

标准/认证

RoHS 2002/95/EC

宽度

10.52 mm

长度

14.4mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay IRL620 是 N 沟道功率 MOSFET ,具有 200V 的漏 - 源 (VDS) 电压。 栅 - 源电压 (VGS) 为 10V。它采用 TO-220AB 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 5 VGS 时为 0.8 欧姆。

动态 dV/dt 额定值

重复性耐雪崩等级

逻辑电平栅极驱动