Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-20 V, -2 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, SI1427EDH-T1-GE3, SI1427EDH系列

RS 库存编号:: 256-7341
制造商零件编号:: SI1427EDH-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-20 V, -2 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, SI1427EDH-T1-GE3, SI1427EDH系列

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RS 库存编号:: 256-7341
制造商零件编号:: SI1427EDH-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-2A
	最大漏源电压 Vd	-20V
	系列	SI1427EDH
	包装类型	SC-70
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	0.165Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7.6nC
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大栅源电压 Vgs	8V
	最大功耗 Pd	2.8W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	高度	1.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -2A
	最大漏源电压 Vd -20V
	系列 SI1427EDH
	包装类型 SC-70
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 0.165Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC
	正向电压 Vf -1.2V
	最大栅源电压 Vgs 8V
	最大功耗 Pd 2.8W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	高度 1.1mm
	汽车标准否

Datasheet - SI1427EDH-T1-GE3

Vishay SI1427EDH系列MOSFET,-20 V最大漏源电压,-2 A最大连续漏电流 - SI1427EDH-T1-GE3

此 p 通道 MOSFET 是一款紧凑型表面贴装晶体管,适用于电子系统中的开关和模拟应用。它作为P通道设备运行,最大排放源电压为-20 V,适用于需要受控电流流量和栅极驱动开关性能的低电压设计。该设备专为自动化和电气系统中的专业应用而设计,在这些应用中,板载空间和耐热性非常重要。

特性和优点：

• 低 Rds(on) 0.165 Ω,可减少传导损耗 • 最大连续排放电流 -2 A,支持中等负载电流 • 最大功耗 2.8 W,可在负载下持续运行 • 典型栅极电荷为 7.6 nC,可实现高效的栅极驱动开关 • 最高工作温度为+150°C,适用于高温环境 • 通过RoHS认证,符合危险物质限值

应用

• 适用于高温电源管理电路 • 适用于自动化设备的低压负载开关 • 用于电池供电系统的极性保护 • 可用于控制模块中的栅极驱动模拟切换 • 适用于需要P通道设备的紧凑型表面贴装设计

它在 PCB 组装时使用哪种安装方法?

它采用专为表面安装而设计的 SC‐70 封装,针对自动拾放装配过程进行了优化。

允许的栅极电压范围是什么,以实现可靠运行?

该设备可接受 8 V 的最大栅极源电压

门驱动器应保持在此限制范围内,以避免损坏。

在低正向偏差条件下,它的性能如何?

指定的正向电压为-1.2 V,指示正向偏置条件下传导过程中预期的下降。