Vishay N沟道MOSFET, Vds=12 V, Id=4 A, 6针, SC-70
- RS 库存编号:
- 256-7343
- 制造商零件编号:
- SI1442DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 包,共 25 件)*
RMB59.95
(不含税)
RMB67.75
(含税)
有库存
- 另外 2,600 件在 2026年9月21日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.398 | RMB59.95 |
| 50 - 75 | RMB2.278 | RMB56.95 |
| 100 - 225 | RMB2.164 | RMB54.10 |
| 250 - 975 | RMB2.057 | RMB51.43 |
| 1000 + | RMB1.954 | RMB48.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7343
- 制造商零件编号:
- SI1442DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道,带表面安装 SC-70-6,其应用包括负载开关和电池、便携式设备开关、直流、直流转换器、低接通电阻,用于低电压降。
TrenchFET 功率 Mosfet
表面安装在 1 x 1 FR4 板上
100% Rg 测试
相关链接
- Vishay N沟道 MOSFET, Vds=12 V, 4 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, SI1442DH-T1-GE3
- Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 1.1 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1967DH-T1-GE3
- Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-20 V, -2 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, SI1427EDH-T1-GE3, SI1427EDH系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, SI1441EDH-T1-GE3, Si1441EDH系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 0.52 A, US, 表面安装, 6引脚, SI1411DH-T1-GE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 630 mA, SC-75, 表面安装, 3引脚, SI1012CR-T1-GE3, Si1012CR系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 760 mA, SC-89, 表面安装, 6引脚, SI1077X-T1-GE3, Si1077X系列
- Vishay , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 700 mA, SC-70-6, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1553CDL-T1-GE3
