Vishay N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=1.3 A, 6针, SC-88, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
812-3091
制造商零件编号:
SI1922EDH-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.3A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

SC-88

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

263mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.25W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.6nC

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

+150°C

长度

2.2mm

标准/认证

No

高度

1mm

宽度

1.35mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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