Vishay N型, P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, 1206-8 ChipFET, 表面安装

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RS 库存编号:
256-7370
制造商零件编号:
SI5504BDC-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型, P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

1206-8 ChipFET

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Semiconductor Nand P 通道 30 V (D-S) mosfet 4A、3.7A 3.12W、3.1W 表面安装,其应用为直流、直流,用于便携式应用负载开关。

TrenchFET 功率 Mosfets

无铅 (Pb) 和无卤素)

表面安装在 1 x 1 FR4 板上