Vishay N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=30 A, PowerPAK SO-8
- RS 库存编号:
- 256-7422
- 制造商零件编号:
- SIR424DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB10,353.00
(不含税)
RMB11,700.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年6月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB3.451 | RMB10,353.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7422
- 制造商零件编号:
- SIR424DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0095Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0095Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 mosfet iTime 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义,其应用包括降压转换器、POL、直流、直流。
TrenchFET 功率 Mosfet
100% Rg 测试
100% UIS 测试
相关链接
- Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 30 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, SIR424DP-T1-GE3
- Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 7.5 A, PowerPAK SO-8, 表面安装
- Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 7.5 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, SIR698DP-T1-GE3
- Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=60 V, 42.8 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 65.7 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚
- Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=60 V, 49.3 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR626DP, SiR系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 146 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR580DP, SiR系列