制造商编号

Vishay N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=30 A, PowerPAK SO-8

RS 库存编号:: 256-7423
制造商零件编号:: SIR424DP-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=30 A, PowerPAK SO-8

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单位	每单位	每包*
5 - 45	RMB10.67	RMB53.35
50 - 95	RMB10.138	RMB50.69
100 - 245	RMB9.628	RMB48.14
250 - 995	RMB9.146	RMB45.73
1000 +	RMB8.69	RMB43.45

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RS 库存编号:: 256-7423
制造商零件编号:: SIR424DP-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	PowerPAK SO-8
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	0.0095Ω
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 PowerPAK SO-8
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 0.0095Ω
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SIR424DP-T1-GE3

Vishay Semiconductor N 通道 mosfet iTime 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义,其应用包括降压转换器、POL、直流、直流。

TrenchFET 功率 Mosfet

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