Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-263, PCB安装, IRLS4030TRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5840
- 制造商零件编号:
- IRLS4030TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB23.09 | RMB46.18 |
| 10 - 48 | RMB20.765 | RMB41.53 |
| 50 - 98 | RMB20.335 | RMB40.67 |
| 100 - 248 | RMB17.26 | RMB34.52 |
| 250 + | RMB17.01 | RMB34.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5840
- 制造商零件编号:
- IRLS4030TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.3mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 PCB安装 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.3mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 经优化用于逻辑电平驱动，在 4.5V VGS 时的 RDS 极低，采用直流电动机驱动，在 SMPS 中进行高效同步整流，并提供不间断电源、高速电源切换、硬切换和高频电路。
在 45V VGS 时提供卓越的 R*Q
改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 稳健性
完全特性化的电容和雪崩 SOA
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能
无铅