Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 6.5 A, SO-8, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9300
- 制造商零件编号:
- IRF7313TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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¥9,444.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB2.361 | RMB9,444.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9300
- 制造商零件编号:
- IRF7313TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最大漏源电阻 Rd | 46mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 正向电压 Vf | 0.78V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
最大漏源电阻 Rd 46mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
正向电压 Vf 0.78V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 30V 双 N 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 SO 8 封装。
符合 RoHS 标准
低 RDS(接通)
动态 dv/dt 额定值
快速切换
双 n 通道 mosfet