Infineon N沟道MOSFET, Vds=200 V, Id=3.7 A, 8针, SO-8, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9319
- 制造商零件编号:
- IRF7820TRPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 4000 件）*
RMB20,912.00
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RMB23,632.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB5.228 | RMB20,912.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9319
- 制造商零件编号:
- IRF7820TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 78mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 330mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.7A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 78mΩ | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 330mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 200V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 SO 8 封装。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
正常电平优化用于 10 V 门驱动电压
工业标准表面安装封装
可波焊
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