Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 79 A, D-Pak (TO-252AA), 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9399
- 制造商零件编号:
- IRFR1018ETRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9399
- 制造商零件编号:
- IRFR1018ETRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 79 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | D-Pak (TO-252AA) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 79 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 D-Pak (TO-252AA) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRFR 系列是 60V 单 n 通道功率 Mosfet,采用 DPAK 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
工业标准表面安装封装
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
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工业标准表面安装封装
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
