制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=86 A, TO-252, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9465
Distrelec 货号:: 304-40-554
制造商零件编号:: IRLR8726TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=86 A, TO-252, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 257-9465
Distrelec 货号:: 304-40-554
制造商零件编号:: IRLR8726TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	86A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-252
	最大漏源电阻 Rd	8mΩ
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	75W
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	15nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 86A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-252
	最大漏源电阻 Rd 8mΩ
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 75W
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRLR8726TRPBF

Infineon IRLR 系列是 30V 单 n 通道 HEXFET 电源 MOSFET,采用 D Pak 封装。

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

逻辑电平优化用于 5 V 门驱动电压

工业标准表面安装电源封装

可波焊

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