Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 8.3 A, TSOP-6, 通孔安装, HEXFET系列

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RS 库存编号:
257-9466
制造商零件编号:
IRLTS6342TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

8.3A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

HEXFET

包装类型

TSOP-6

安装类型

通孔

最大漏源电阻 Rd

15mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

最大栅源电压 Vgs

12 V

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

2W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon IRLTS 系列是 30V 单 n 通道强大的 IRFET mosfet,采用 TSOP 6 (Micro 6) 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

工业标准表面安装电源封装

高电流承载能力,采用小型封装