Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 257 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 258-0680
- 制造商零件编号:
- BSC014N06NSTATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0680
- 制造商零件编号:
- BSC014N06NSTATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 257A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.45mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 89nC | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 257A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.45mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 89nC | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 功率 MOSFET 采用 SuperSO8 封装,提供最新技术以及封装中的温度改进。此新组合可实现更高的功率密度以及更好的坚固性。与低额定设备相比,175°C TJ_MAX 功能在更高的工作接点温度下提供更多功率,或在相同的工作接点温度下提供更长的使用寿命。此外,安全操作区域可实现 20% 的改善。此新封装功能特别适用于电信、电动机驱动器和服务器等应用。
低 RDS(接通)
优化用于同步整流
更长的使用寿命
最高效率和功率密度
最高系统可靠性
热强度