Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, IAUC系列
- RS 库存编号:
- 258-0917
- 制造商零件编号:
- IAUC120N04S6N013ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0917
- 制造商零件编号:
- IAUC120N04S6N013ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | IAUC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 115W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 IAUC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 115W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 6 40V 功率 MOS 技术采用 5x6mm2 SS08 无引线封装,具有最高质量水平和坚固性,适用于汽车应用。由 16 种产品组成的产品组合,使客户能够在应用中找到最适合的产品。所有这些都可实现市场上同类产品最佳的 FOM 和性能。新型 SS08 产品提供 120A 连续电流额定值, >比标准 DPAK 高出 25%,占其印迹面积的近一半。
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色产品(符合 RoHS 标准)
100% 雪崩测试