Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB020N10N5LFATMA1, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3786
- 制造商零件编号:
- IPB020N10N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB41.58 |
| 10 - 99 | RMB37.60 |
| 100 - 249 | RMB31.13 |
| 250 - 499 | RMB27.09 |
| 500 + | RMB25.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3786
- 制造商零件编号:
- IPB020N10N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 0.89V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 195nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 0.89V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 195nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 线性 FET 是一种革命性的方法,可在增强模式 MOSFET 的饱和区域中避免接通状态电阻和线性模式功能之间的妥协。它提供槽 MOSFET 的最先进的 R DS(on),以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区域。
高最大值 脉冲电流
高连续脉冲电流
坚固的线性模式操作
低导电损耗