Infineon N沟道MOSFET, Vds=950 V, Id=14 A, 3针, TO-251, IPU系列

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包装方式：
RS 库存编号:
258-3905
制造商零件编号:
IPU95R450P7AKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

14A

最大漏源电压 Vd

950V

包装类型

TO-251

系列

IPU

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

104W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon 950V CoolMOS P7 系列在效率、热行为和易用性方面提供出色的性能。与所有其他 P7 系列成员一样,950V CoolMOS P7 系列随附集成齐纳二极管 ESD 保护。集成二极管可显著提高 ESD 坚固性,从而减少与 ESD 相关的效率损耗,并达到出色的易用性水平。CoolMOS P7 采用 3V 的同类最佳 VGS(th) 开发,容差仅为 ± 0.5V,易于驱动和设计。

启用更高功率密度设计、节省 BOM 和降低装配成本

易于驱动和设计

通过减少 ESD 相关故障,提高生产效率

减少生产问题和减少现场回报

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