Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=205 A, TTFN, IQE系列
- RS 库存编号:
- 258-3923
- 制造商零件编号:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 98 | RMB18.005 | RMB36.01 |
| 100 - 248 | RMB17.105 | RMB34.21 |
| 250 - 498 | RMB15.90 | RMB31.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3923
- 制造商零件编号:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 205A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IQE | |
| 包装类型 | TTFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 205A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IQE | ||
包装类型 TTFN | ||
安装类型 表面 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 40V 采用 3.3x3.3 PQFN 源下中心门封装。此类最佳功率 MOSFET 在终端应用中挑战了功率密度和形状因数的现状。电动工具设计的一个目标是最大程度地减少印刷电路板区域要求的内部限制,实现人机工程学设计并优化最终用户体验。同时将变频器从手柄移动到头部,可最大程度地减少电动工具电动机壳体的体积,同时将工具的扭矩保持在合理高水平,以便快速轻松操作。
高电流能力
更高效地利用 PBC 区域
最高功率密度和性能
优化印迹,用于 MOSFET 并联,带中心门
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