Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 205 A, TTFN, 表面安装, IQE013N04LM6CGATMA1, IQE系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-3923
制造商零件编号:
IQE013N04LM6CGATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

205A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TTFN

系列

IQE

安装类型

表面

正向电压 Vf

1V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 40V 采用 3.3x3.3 PQFN 源下中心门封装。此类最佳功率 MOSFET 在终端应用中挑战了功率密度和形状因数的现状。电动工具设计的一个目标是最大程度地减少印刷电路板区域要求的内部限制,实现人机工程学设计并优化最终用户体验。同时将变频器从手柄移动到头部,可最大程度地减少电动工具电动机壳体的体积,同时将工具的扭矩保持在合理高水平,以便快速轻松操作。

高电流能力

更高效地利用 PBC 区域

最高功率密度和性能

优化印迹,用于 MOSFET 并联,带中心门