Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 46 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IRFH5053TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3970
- 制造商零件编号:
- IRFH5053TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥36.39
(不含税)
¥41.12
(含税)
有库存
- 5,468 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB18.195 | RMB36.39 |
| 10 - 98 | RMB17.64 | RMB35.28 |
| 100 - 248 | RMB16.77 | RMB33.54 |
| 250 - 498 | RMB15.59 | RMB31.18 |
| 500 + | RMB14.19 | RMB28.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3970
- 制造商零件编号:
- IRFH5053TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 46A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 46A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon StrongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
工业标准表面安装封装
工业标准资格级别
标准引脚外径允许插入式更换