制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=0.2 A, 3针, SOT, SN7002N系列

RS 库存编号:: 258-4029
制造商零件编号:: SN7002NH6433XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=0.2 A, 3针, SOT, SN7002N系列

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RS 库存编号:: 258-4029
制造商零件编号:: SN7002NH6433XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	0.2A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOT
	系列	SN7002N
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	5Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1.15nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	0.36W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, AEC Q101
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 0.2A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOT
	系列 SN7002N
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 5Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.15nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 0.36W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, AEC Q101
	汽车标准否

Datasheet - SN7002NH6433XTMA1

Infineon SIPMOS 小信号晶体管符合 AEC Q101 标准,且符合 IEC61249-2-21 标准无卤。

N 通道

增强模式

dv/dt 额定值

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