制造商编号

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 0.12 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP296NH6433XTMA1, BSP系列

RS 库存编号:: 250-0534
制造商零件编号:: BSP296NH6433XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 0.12 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP296NH6433XTMA1, BSP系列

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RS 库存编号:: 250-0534
制造商零件编号:: BSP296NH6433XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	0.12A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	BSP
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.4mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 0.12A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 BSP
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSP296NH6433XTMA1

英飞凌制造的OptiMOS小信号晶体管是一个N沟道型、增强模式且逻辑电平额定值为4.5V。它具有雪崩等级，100% 无铅且无卤。

雪崩额定值且100%无铅

Vds为100 V且Id为1.2 A

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 0.12 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP296NH6433XTMA1, BSP系列

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