Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, PG-TO263-3, IPB180N04S400ATMA1
- RS 库存编号:
- 258-7759
- 制造商零件编号:
- IPB180N04S400ATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7759
- 制造商零件编号:
- IPB180N04S400ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PG-TO263-3 | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC, MSL1, RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PG-TO263-3 | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC, MSL1, RoHS | ||
Infineon OptiMOS 具有最低的切换和传导功率损耗，可实现最高热效率。它还优化了总栅极电荷，可实现更小的驱动器输出级别。
AEC 认证
绿色产品
超低导通电阻 RDS(on)
100% 雪崩测试