制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=180 A, 7针, TO-263, iPB系列

RS 库存编号:: 229-1821
制造商零件编号:: IPB180P04P4L02ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=180 A, 7针, TO-263, iPB系列

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RS 库存编号:: 229-1821
制造商零件编号:: IPB180P04P4L02ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	iPB
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	2.4mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	150W
	正向电压 Vf	-1.3V
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 iPB
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 150W
	正向电压 Vf -1.3V
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPB180P04P4L02ATMA2

Infineon p 通道逻辑电平 MOSFET 具有最高电流容量和 100% 雪崩测试。它具有最低的切换和传导功率损耗，可实现最高热效率和反向电池保护。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准

它具有 175°C 工作温度

它采用坚固的封装

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