Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 43 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF3415STRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-8194
- 制造商零件编号:
- IRF3415STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
N
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB17.718 | RMB88.59 |
| 25 - 45 | RMB15.928 | RMB79.64 |
| 50 - 95 | RMB15.612 | RMB78.06 |
| 100 - 245 | RMB12.80 | RMB64.00 |
| 250 + | RMB12.544 | RMB62.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-8194
- 制造商零件编号:
- IRF3415STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.042Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | EIA 418 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.042Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 EIA 418 | ||
汽车标准 否 | ||