制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=82 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

RS 库存编号:: 214-4444
Distrelec 货号:: 304-39-413
制造商零件编号:: IRF2807STRLPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=82 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB135.62

(不含税)

RMB153.25

(含税)

有库存

另外 770 件在 2026年9月21日发货
另外 890 件在 2026年9月28日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
10 - 190	RMB13.562	RMB135.62
200 - 390	RMB13.157	RMB131.57
400 +	RMB12.763	RMB127.63

* 参考价格

RS 库存编号:: 214-4444
Distrelec 货号:: 304-39-413
制造商零件编号:: IRF2807STRLPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	82A
	最大漏源电压 Vd	75V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	13mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	160nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	230W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 82A
	最大漏源电压 Vd 75V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 13mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 160nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 230W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IRF2807STRLPBF

此 Infineon ex场功率 mosfet 利用先进 Advanced 处理技术，可在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此优势结合了快速切换速度和耐震性设备设计提供可靠且高效的设备

它具有完全耐雪崩等级

相关链接