Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 113 A, TO-220, 3引脚, IPP033N04NF2SAKMA1, IPP系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-1062
制造商零件编号:
IPP033N04NF2SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

113A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPP

包装类型

TO-220

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.3mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

107W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

高度

4.75mm

长度

15.8mm

宽度

10.67 mm

汽车标准

Infineon MOSFET 可解决从低到高切换频率的广泛应用,从分配合作伙伴提供广泛的可用性,达到出色的价格和性能比。

特别适用于高和低切换频率

可波焊