Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 197 A, TO-220, 3引脚, IPP013N04NF2SAKMA1, IPP系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-1056
制造商零件编号:
IPP013N04NF2SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

197A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPP

包装类型

TO-220

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.3mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

250W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

159nC

正向电压 Vf

0.85V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, IEC 61249-2-21

汽车标准

Infineon MOSFET 可解决从低到高切换频率的广泛应用,从分配合作伙伴提供广泛的可用性,达到出色的价格和性能比。

高额定电流

工业标准通孔封装