Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=310 A, 24针, TSDSO, IQE系列
- RS 库存编号:
- 260-1072
- 制造商零件编号:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 6000 件）*
RMB57,840.00
(不含税)
RMB65,340.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年2月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 6000 - 6000 | RMB9.64 | RMB57,840.00 |
| 12000 - 12000 | RMB9.448 | RMB56,688.00 |
| 18000 + | RMB9.164 | RMB54,984.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1072
- 制造商零件编号:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 310A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | IQE | |
| 包装类型 | TSDSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 310A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 IQE | ||
包装类型 TSDSO | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 24 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 允许通过热垫将源电位连接到印刷电路板,提供多种优点,如增强的热容量、高级功率密度或改进的布局可能性。它还具有降低的有源冷却要求和用于热管理的有效布局,这是系统级别的优势。
启用最高功率密度和性能
卓越的热性能
优化布局可能性
相关链接
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 310 A, TSDSO, 表面安装, 24引脚, IQE006NE2LM5CGSCATMA1, IQE系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 310 A, WHSON, 表面安装, 8引脚, IQE系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 310 A, WHSON, 表面安装, 8引脚, IQE006NE2LM5SCATMA1, IQE系列
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE006NE2LM5CGATMA1, IQE系列
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE006NE2LM5ATMA1, IQE系列
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 205 A, WHTFN, 表面安装, 9引脚, IQE013N04LM6CGSCATMA1, IQE系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 205 A, WHTFN, 表面安装, 9引脚, IQE系列