Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 310 A, TSDSO, 贴片安装, 24引脚
- RS 库存编号:
- 260-1072
- 制造商零件编号:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 6000 - 6000 | RMB8.251 | RMB49,506.00 |
| 12000 - 12000 | RMB8.086 | RMB48,516.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1072
- 制造商零件编号:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 310 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 封装类型 | TSDSO | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 310 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
封装类型 TSDSO | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 24 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon MOSFET 允许通过热垫将源电位连接到印刷电路板,提供多种优点,如增强的热容量、高级功率密度或改进的布局可能性。它还具有降低的有源冷却要求和用于热管理的有效布局,这是系统级别的优势。
启用最高功率密度和性能
卓越的热性能
优化布局可能性
卓越的热性能
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