制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=119 A, 3针, TO-220, IPP系列

RS 库存编号:: 260-1212
制造商零件编号:: IPP030N06NF2SAKMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=119 A, 3针, TO-220, IPP系列

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RS 库存编号:: 260-1212
制造商零件编号:: IPP030N06NF2SAKMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	119A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TO-220
	系列	IPP
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.05mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	68nC
	正向电压 Vf	920mV
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	150W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC 61249-2-21, RoHS
	长度	10.67mm
	宽度	15.8mm
	高度	4.75mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 119A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TO-220
	系列 IPP
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.05mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC
	正向电压 Vf 920mV
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 150W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS
	长度 10.67mm
	宽度 15.8mm
	高度 4.75mm
	汽车标准否

Datasheet - IPP030N06NF2SAKMA1

Infineon MOSFET 符合 JEDEC 标准,经优化用于广泛的应用。

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准

无卤

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