Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 92 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRLB8748PBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5873
- 制造商零件编号:
- IRLB8748PBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥44.64
(不含税)
¥50.445
(含税)
有库存
- 490 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB8.928 | RMB44.64 |
| 10 - 10 | RMB8.034 | RMB40.17 |
| 15 - 15 | RMB7.228 | RMB36.14 |
| 20 - 20 | RMB6.51 | RMB32.55 |
| 25 + | RMB5.856 | RMB29.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5873
- 制造商零件编号:
- IRLB8748PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 92A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 370W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| Distrelec Product Id | 304-41-682 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 92A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 370W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
Distrelec Product Id 304-41-682 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 单 N 通道 StrongIRFET 功率 MOSFET。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和具有高额定电流的直流-直流转换器。
高电流承载能力封装
在低频应用中具有高性能