Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 124-9026
- 制造商零件编号:
- IRLB4030PBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 124-9026
- 制造商零件编号:
- IRLB4030PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最大功耗 Pd | 370W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 87nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最大功耗 Pd 370W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 87nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，180A 最大连续漏极电流 - IRLB4030PBF
这款 N 通道增强型 MOSFET 是一款高电流电源开关，采用 TO-220 封装，专为通孔安装而设计，适用于苛刻的功率转换和开关应用。它可在宽热范围内工作，并支持栅极驱动控制，可在需要低导通电阻和强大连续电流能力的 DC 电路中实现高效传导。
特性和优点：
• 极低导通电阻 4mΩ，可减少传导损耗
• 可处理 180A 的连续漏极电流，适用于高负载应用
• 额定漏源电压为 100V，适用于中压系统
• 最大功耗为 370W，可实现持续的热负载
• 典型栅极电荷为 87nC，可实现可预测的开关行为
• 栅源耐受电压高达 16V，确保稳固的驱动余量
• 可处理 180A 的连续漏极电流，适用于高负载应用
• 额定漏源电压为 100V，适用于中压系统
• 最大功耗为 370W，可实现持续的热负载
• 典型栅极电荷为 87nC，可实现可预测的开关行为
• 栅源耐受电压高达 16V，确保稳固的驱动余量
应用
• 适用于高电流电机驱动级
• 适用于电源的同步整流
• 与电池管理和 DC-DC 转换器配合使用
• 可用于工业逆变器开关
• 适用于电信配电架
• 适用于电源的同步整流
• 与电池管理和 DC-DC 转换器配合使用
• 可用于工业逆变器开关
• 适用于电信配电架
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
该设备的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在热源附近的冷启动条件和高温环境中使用。
它应如何安装以有效管理热量？
它采用 TO-220 通孔封装，可通过螺栓牢固连接到散热器，从封装片直接导热以增强冷却效果。
哪些开关特性会影响栅极驱动器选择？
驱动电路的典型总栅极电荷为 87nC，必须为所需的转换时间提供足够的峰值电流，同时管理开关损耗。
主体和通道的行为如何影响电路拓扑选择？
作为一款 N 通道增强型设备，当栅极相对于源极施加正向驱动时，它便会导通，因此适用于低边开关和同步拓扑结构。
相关链接
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- Infineon MOSFET, Vds=30 V, 150 A, TO-220, 表面安装, IRLB4132PBF, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 270 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRLB3036PBF, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 171 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRLB8314PBF, HEXFET系列
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