Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 67 A, DirectFET, 表面安装, 15引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5940
- 制造商零件编号:
- IRF7779L2TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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¥100,376.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB25.094 | RMB100,376.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5940
- 制造商零件编号:
- IRF7779L2TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 67A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 15 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 67A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 15 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon DirectFET 功率 MOSFET 经优化用于高频切换和同步整流应用。设备的总损耗降低,加上高水平的热性能,可实现高效率和低温度,这是系统可靠性提高的关键,使此设备特别适用于高性能功率转换器。
无铅
优化用于同步整流
低导电损耗
兼容双面冷却