ROHM N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 8针, HSOP, RS6G100BG系列

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RS 库存编号:
260-6155
制造商零件编号:
RS6G100BGTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSOP

系列

RS6G100BG

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.4mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最大功耗 Pd

59W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM N 通道功率 MOSFET 具有低接通电阻,最大功耗为 59 W。它采用高功率小型模制封装 HSOP8,用于切换应用。

无卤素

符合 ROHS 标准

无铅镀层

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