制造商编号

ROHM N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 8针, HSOP, RS6G100BG系列

RS 库存编号:: 260-6156
制造商零件编号:: RS6G100BGTB1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 8针, HSOP, RS6G100BG系列

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单位	每单位	每包*
5 - 45	RMB18.244	RMB91.22
50 - 95	RMB17.696	RMB88.48
100 - 245	RMB16.638	RMB83.19
250 - 995	RMB15.136	RMB75.68
1000 +	RMB13.324	RMB66.62

* 参考价格

RS 库存编号:: 260-6156
制造商零件编号:: RS6G100BGTB1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	RS6G100BG
	包装类型	HSOP
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3.4mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	59W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 RS6G100BG
	包装类型 HSOP
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3.4mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 59W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RS6G100BGTB1

ROHM N 通道功率 MOSFET 具有低接通电阻,最大功耗为 59 W。它采用高功率小型模制封装 HSOP8,用于切换应用。

无卤素

符合 ROHS 标准

无铅镀层

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