onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=900 V, 149 A, F2-VIENNA:外壳 180BZ, 表面安装, 20引脚, NXH020U90MNF2PTG系列

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261-9558
制造商零件编号:
NXH020U90MNF2PTG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

149A

最大漏源电压 Vd

900V

包装类型

F2-VIENNA:外壳 180BZ

系列

NXH020U90MNF2PTG

安装类型

表面

引脚数目

20

最大漏源电阻 Rd

14mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

6V

最大栅源电压 Vgs

18 V

最大功耗 Pd

352W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

546.4nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

Halide Free, Pb-Free, RoHS

汽车标准

ON Semiconductor MOSFETS 提供一个包含维也纳整流器模块的电源模块,包含两个 10 毫欧姆的开关,还具有 M2 技术,并由 15V-18V 门驱动驱动。

电动车辆充电站

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