制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=3.6 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

RS 库存编号:: 262-6734
制造商零件编号:: IRF7451TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=3.6 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 262-6734
制造商零件编号:: IRF7451TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3.6A
	最大漏源电压 Vd	150V
	系列	HEXFET
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	90mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	2.5W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	28nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	4mm
	标准/认证	RoHS
	长度	5mm
	高度	1.75mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3.6A
	最大漏源电压 Vd 150V
	系列 HEXFET
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 90mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 2.5W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 4mm
	标准/认证 RoHS
	长度 5mm
	高度 1.75mm
	汽车标准否

Datasheet - IRF7451TRPBF

Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器一起使用。

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