Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 3.6 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, IRF7451TRPBF, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
262-6734
制造商零件编号:
IRF7451TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.5W

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

宽度

4 mm

高度

1.75mm

长度

5mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器一起使用。

完全特性化的雪崩电压和电流

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。