Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 16 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, IRFU3910PBF, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
262-6776
Distrelec 货号:
304-41-680
制造商零件编号:
IRFU3910PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

HEXFET

包装类型

TO-251

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

115mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

29.3nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

52W

最高工作温度

175°C

长度

6.73mm

高度

2.39mm

宽度

6.22 mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。它具有超低接通电阻。它为设计人员提供极高效可靠的设备,适用于各种应用。

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