ROHM N型, P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=7 A, 8针, TSMT, QH8MA3系列

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RS 库存编号:
264-3773
制造商零件编号:
QH8MA3TCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型, P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSMT

系列

QH8MA3

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.2nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, Pb-free lead plating

汽车标准

COO (Country of Origin):
TH
ROHM 中功率 MOSFET 适用于开关电源,采用小型表面贴装封装,无铅电镀,符合 RoHS 标准。

低导通电阻

无卤素

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