制造商编号

ROHM P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=-0.25 A, 3针, SOT-416, RE1E002SP系列

RS 库存编号:: 264-3820
制造商零件编号:: RE1E002SPTCL
制造商:: ROHM

ROHM P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=-0.25 A, 3针, SOT-416, RE1E002SP系列

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100 - 225	RMB0.656	RMB16.40
250 - 975	RMB0.643	RMB16.08
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RS 库存编号:: 264-3820
制造商零件编号:: RE1E002SPTCL
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-0.25A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	SOT-416
	系列	RE1E002SP
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.4Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	-1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	150mW
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -0.25A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 SOT-416
	系列 RE1E002SP
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.4Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf -1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 150mW
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - RE1E002SPTCL

COO (Country of Origin):: TH

ROHM MOSFET 采用适用于移动设备的微加工技术制成超低导通电阻，实现低电流消耗。紧凑型、大功率型、复合型等丰富的产品线满足市场需求。

4 V 驱动类型

Pch 小信号 MOSFET

小型表面贴装封装

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