ROHM P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=200 mA, 3针, SC-75, RE1C002ZP系列

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148-6960
制造商零件编号:
RE1C002ZPTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-75

系列

RE1C002ZP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

9.6Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.4nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150mW

最大栅源电压 Vgs

10V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

0.96mm

长度

1.7mm

高度

0.8mm

汽车标准

否

低电压 (12V) 驱动类型

Pch 小信号 MOSFET

小型表面安装封装

无铅/符合 RoHS 标准

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