ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 200 mA, SC-75, 表面安装, 3引脚, RE1C002ZPTL, RE1C002ZP系列
- RS 库存编号:
- 148-6960
- 制造商零件编号:
- RE1C002ZPTL
- 制造商:
- ROHM
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¥180.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 600 | RMB0.901 | RMB180.20 |
| 800 - 1400 | RMB0.879 | RMB175.80 |
| 1600 + | RMB0.857 | RMB171.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 148-6960
- 制造商零件编号:
- RE1C002ZPTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | RE1C002ZP | |
| 包装类型 | SC-75 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.6Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 150mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 0.96 mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 200mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 RE1C002ZP | ||
包装类型 SC-75 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.6Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.4nC | ||
最大功耗 Pd 150mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 0.96 mm | ||
长度 1.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
低电压 (12V) 驱动类型
Pch 小信号 MOSFET
小型表面安装封装
无铅/符合 RoHS 标准